为什么叫开关晶体管_为什么叫开关晶体管

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ˋ＾ˊ 京东方A申请晶体管及其制备方法、显示面板专利,晶体管具有双极性...载流子极性与所述第二半导体结构的载流子极性相反,且所述第一半导体结构的载流子迁移率小于所述第二半导体结构的载流子迁移率。本公开两个不同迁移率的半导体结构使得所形成的晶体管具有双极性特征,从而可以利用晶体管的双极性特性提升晶体管的开关比。本文源自金融界

韦尔股份申请开关电路专利,通过根据传输晶体管的栅极电容设定最大...金融界2023年12月12日消息,据国家知识产权局公告,上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“开关电路“,公开号CN117220652A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示,本发明的开关电路包含:p通道传输晶体管,其源极连接于电源,漏极连接于负载;及栅极驱动电路,连接于所述传输晶...

动力源取得直流开关专利,提高金属‑氧化物半导体场效应晶体管的...北京动力源科技股份有限公司取得一项名为“一种直流开关“的专利,授权公告号CN112332823B,申请日期为2020年10月。专利摘要显示,本发明的实施例公开了一种直流开关,涉及开关技术领域,为提高直流开关中的金属‑氧化物半导体场效应晶体管的安全性而发明。包括开关主电路、...

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...碳化硅晶体管及其制备方法专利,可提高器件的开关性能,降低开关损耗金融界2023年12月30日消息,据国家知识产权局公告,扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“隔离栅碳化硅晶体管及其制备方法“,公开... 所述氧化物隔离层的侧部设有与PP区连接的欧姆接触金属层。本发明一定程度上可提高器件的开关性能,降低开关损耗。本文源自金融界

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⊙﹏⊙ 南芯科技申请高压开关电路的控制电路、芯片、实现方法及设备专利,...金融界2024年2月9日消息,据国家知识产权局公告,上海南芯半导体科技股份有限公司申请一项名为“高压开关电路的控制电路、芯片、实现方... 控制第二晶体管和第四晶体管导通;在第一控制电压为第二阈值且第二控制电压为第一阈值时,将第一电容放电,将第一电容的上极板电压从第一...

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＋▂＋ ...的门铃电路及门铃系统专利,可以使得门铃系统中的开关实现安全的通断金融界2024年6月13日消息,天眼查知识产权信息显示,杰华特微电子股份有限公司申请一项名为“安全关断的门铃电路及门铃系统”,公开号CN202311506403.9,申请日期为2023年11月。专利摘要显示,本申请公开了一种安全关断的门铃电路及门铃系统,通过由晶体管器件构成的开关模块...

华为公司申请开关电源电路和电子设备专利,提高开关电源电路的可靠性金融界2024年2月2日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为“开关电源电路和电子设备“,公开号CN117501601A,申请日期为2021年11月。专利摘要显示,本申请实施例提供了一种开关电源电路和电子设备,该开关电源电路包括:功率晶体管电路,包括串联耦合在电源...

...驱动晶体管阈值电压偏移和背板电源压降造成的发光亮度不均的问题包括驱动晶体管、第一至第四开关元件、存储电容。通过不同控制信号控制上述开关元件的导通和关断来实现像素驱动电路的补偿功能,并实现OLED的发光电流仅与OLED的阈值电压和数据信号有关,而与驱动晶体管的阈值电压和背板电源压降无关,从而解决驱动晶体管阈值电压偏移和...

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动力源获得发明专利授权:“一种直流开关”专利名为“一种直流开关”,专利申请号为CN202011121582.0,授权日为2024年1月26日。专利摘要:本发明的实施例公开了一种直流开关,涉及开关技术领域,为提高直流开关中的金属‑氧化物半导体场效应晶体管的安全性而发明。包括开关主电路、驱动控制电路及开关采样电路,开关主...

卓胜微申请射频开关及其控制方法专利,解决射频开关无法兼顾快的...江苏卓胜微电子股份有限公司申请一项名为“射频开关及其控制方法“,公开号CN117674784A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本发明公开了一种射频开关及其控制方法。射频开关包括:串接于射频输入端与射频输出端之间的n个主晶体管单元,其中,第m个主晶体管单元的第二端与...