什么叫相邻图形_什么叫相对高度

*** 次数：1999998 已用完，请联系开发者***

晶合集成申请浮栅的制备方法专利,能够降低漏电的可能性,提高器件的...刻蚀氮化硅层形成若干氮化硅图形,由于氮化硅材质特性,使得氮化硅图形的侧壁垂直,相邻两个氮化硅图形之间暴露出部分衬底;然后形成浮栅材料层覆盖氮化硅图形且填充于相邻两个氮化硅图形之间暴露的衬底上;再刻蚀去除氮化硅图形上方的浮栅材料层以及部分厚度的氮化硅图形,保留...

˙▂˙

长鑫存储申请掩膜制备相关专利,可在半导体器件制备中形成精确图形在基底上形成图形转移层、第一掩膜层和第二掩膜层;在第一区域的第二掩膜层中形成若干第一图形,相邻第一图形之间具有第一沟槽;形成第一牺牲层;形成第一回填层;去除位于第一图形顶面的第一回填层,并沿位于第一图形侧壁的第一牺牲层向下刻蚀,以在第一区域的第一掩膜层中形成若...

≥▽≤

晶合集成申请半导体技术专利,提高对位标记的摆放效率包括:芯片图形区;内切割道区,设置于相邻芯片图形区之间;外切割道区,设置于多个芯片图形区四周;矩阵对位标记,呈矩形阵列布置于内切割道区或者外切割道区;对称对位标记,呈对称布置于内切割道区或者外切割道区;固定对位标记,布置于一个芯片图形区的一边或者一角;以及空白对位标...