什么是随机存取_什么是随机性奖励

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三星取得相变随机存取存储器专利,专利技术能够执行包括复位阶段和...金融界2024年4月29日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“相变随机存取存储器单元阵列及其写入方法”的专利,授权公告号CN111326190B,申请日期为2019年8月。专利摘要显示,一种相变随机存取存储器单元阵列及其写入方法。一种存储器系统包括:存储器...

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三星取得动态随机存取存储器装置专利,存储器单元阵列可排列为具有...金融界2024年4月27日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“动态随机存取存储器装置“,授权公告号CN109903795B,申请日期为2018年7月。专利摘要显示,一种动态随机存取存储器(DRAM)装置包括:存储器单元阵列,其包括第一子存储器单元阵列块和第二子存...

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...来将该一个或多个高速缓存行转换为可直接寻址随机存取存储器(RAM)的请求。该请求可标识对应于该高速缓存行中的一个或多个高速缓存行的地址区域。该高速缓存控制器电路可被进一步配置为响应于该请求,通过从高速缓存操作排除该一个或多个高速缓存行来将该一个或多个高速缓存行转换为可直接寻址随机存取存储器(RAM)。本文源自金融界

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...集成电路芯片中的组合处理核心和磁阻式随机存取存储器(MRAM)电路集成电路芯片的实施例包括集成在芯片中的组合处理核心和磁阻式随机存取存储器(MRAM)电路。MRAM电路包括多个MRAM单元。多个MRAM组织为多个存储器,包括高速缓存存储器、主存储器或工作存储器以及可选的二级储存存储器。高速缓存存储器包括多个高速缓存级别。本申请...

＞０＜ 晶合集成申请静态随机存取存储器单元的制备方法专利,提高静态随机...金融界2024年4月10日消息,据国家知识产权局公告,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“静态随机存取存储器单元的制备方法“,公开号CN117858496A,申请日期为2024年3月。专利摘要显示,本发明提供了一种静态随机存取存储器单元的制备方法,包括:提供衬底,衬底中形成有...

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三星取得磁阻随机存取存储器件及其制造方法专利,该专利技术能实现...金融界2024年4月4日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“磁阻随机存取存储器件及其制造方法“,授权公告号CN109713122B,申请日期为2018年10月。专利摘要显示,提供了制造MRAM器件的方法和MRAM器件。该方法可以包括:在基板的上表面上形成第一电...

三星申请磁性随机存取存储器设备及其操作方法专利,栅极电压高于...金融界2024年2月19日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“磁性随机存取存储器设备及其操作方法“,公开号CN117558324A,申请日期为2018年6月。专利摘要显示,公开了磁性随机存取存储器设备及其操作方法。磁性随机存取存储器设备可以包括:存储器单元...

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台积电取得磁性随机存取存储器装置及磁性穿隧接面结构专利,实现更...金融界2024年2月5日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“磁性随机存取存储器装置及磁性穿隧接面结构“,授权公告号CN220441195U,申请日期为2023年6月。专利摘要显示,本实用新型实施例提供一种磁性随机存取存储器装置及磁性穿隧接面结...

台积电取得铁电随机存取存储器器件及其形成方法专利,实现高效形成...金融界2024年1月13日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“铁电随机存取存储器器件及其形成方法“,授权公告号CN113594175B,申请日期为2021年7月。专利摘要显示,形成铁电随机存取存储器(FeRAM)器件的方法包括:在衬底上方形成层堆叠件...

三星取得磁阻随机存取存储器器件制造方法专利,提高了存储器的性能金融界2024年1月3日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“制造磁阻随机存取存储器器件的方法”,授权公告号CN109841727B,申请日期为2018年10月。专利摘要显示,一种制造磁阻随机存取存储器(MRAM)器件的方法,所述方法包括:在衬底上形成第一磁性层;在...