最常见的金属氧化物_最常见的金属氧化物

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华为公司申请自对准通道金属氧化物半导体(MOS)器件及其制造方法...金融界2024年2月23日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为“自对准通道金属氧化物半导体(MOS)器件及其制造方法“,公开号CN117597786A,申请日期为2021年9月。专利摘要显示,本发明涉及一种金属氧化物半导体(Metal‑Oxide‑Semiconductor,MOS)器件,包...

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＋０＋ 国瓷材料申请金属氧化物粒子的有机溶剂型分散液专利,体系稳定性高,...所述金属氧化物粒子的有机溶剂型分散液,包括金属氧化物粒子、有机溶剂、硅烷偶联剂和偶联媒;所述偶联媒包括四甲基胍、N,N‑二异丙基碳二亚胺、N,N‑二叔丁基碳二亚胺和2‑乙基苯硼酸中的至少一种。本发明提供的金属氧化物粒子的有机溶剂型分散液,硅烷偶联剂与金属氧化物...

京东方A申请金属氧化物薄膜晶体管及显示面板专利,使得载流子迁移率...京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“金属氧化物薄膜晶体管及显示面板“,公开号CN117546302A,申请日期为2022年3月。专利摘要显示,本公开的实施例提供一种金属氧化物薄膜晶体管,该金属氧化物薄膜晶体管包括:设置在衬底基板(101)上的金属氧化物半导体层(102)以及与所...

...能实现制造包括双栅极金属氧化物半导体(MOS)晶体管的半导体设备金融界2024年2月6日消息,据国家知识产权局公告,高通股份有限公司申请一项名为“三维(3D)双栅极半导体“,公开号CN117529817A,申请日期为2022年4月。专利摘要显示,本发明公开了包括双栅极金属氧化物半导体(MOS)晶体管的半导体设备及其制造方法。该双栅极MOS晶体管包括...

╯▽╰ TCL科技申请金属氧化物的制备方法专利,有效提升发光器件的光电性能...本申请公开一种金属氧化物的制备方法、发光器件与显示装置,所述金属氧化物的制备方法包括步骤:提供前驱体金属盐溶液和碱液,将前驱体金属盐溶液与碱液混合以获得混合液,混合液反应获得金属氢氧化物溶液;将金属氢氧化物溶液与阴离子交换树脂混合,获得纯化的金属氢氧化物溶液...

...金属氧化物半导体器件承受及防护人体放电模型静电放电事件的能力电阻平衡条带极大地提高了栅极接地N型通道金属氧化物半导体(ggNMOS)器件承受及防护人体放电模型(HBM)静电放电(ESD)事件的能力。电阻平衡条带是在基底中在有源区与环绕有源区的块状环之间形成的高电阻区,有源区包括ggNMOS器件的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSF...

动力源取得直流开关专利,提高金属‑氧化物半导体场效应晶体管的...金融界2024年1月29日消息,据国家知识产权局公告,北京动力源科技股份有限公司取得一项名为“一种直流开关“的专利,授权公告号CN112332823B,申请日期为2020年10月。专利摘要显示,本发明的实施例公开了一种直流开关,涉及开关技术领域,为提高直流开关中的金属‑氧化物半导...

京东方A申请金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及显示装置专利,可解决...第一金属氧化物半导体层(102)的载流子迁移率高于第二金属氧化物半导体层(103)的载流子迁移率;第一金属氧化物半导体层(102)的材料包括:掺杂有稀土元素的第一金属氧化物;其中,稀土元素的电负性与氧元素的电负性的差值大于或等于第一金属氧化物中的金属元素与氧元素的电负性的...

龙腾光电申请金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法专利...第一桥接图案通过第一通孔与金属氧化物、第二桥接图案通过第二通孔与金属氧化物半导体层接触连接;初始金属层包括初始源极和初始漏极,初始源极层叠设置在第一桥接图案上,初始漏极层叠设置在第二桥接图案上。本发明提供的金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法,能...

国瓷材料申请金属氧化物粒子的树脂型分散液及其制备方法专利,提高...金融界2024年1月17日消息,据国家知识产权局公告,山东国瓷功能材料股份有限公司申请一项名为“表面改性的金属氧化物粒子的树脂型分散液及其制备方法“,公开号CN117402408A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示,本发明提供了一种表面改性的金属氧化物粒子的树脂型分散液...